AGMS-DM+多(duo)功能(néng)探頭

l 能(néng)量範圍：20kV-160kV，精(jīng)度±2%或±0.7kV

l 半值層濾過(guo)：0.16-13.5mmAl；

l 曝光時間：1ms-300s，精(jīng)度± 0.1%  或者 0.2 ms

l 劑量範圍：80 nGy – >100 Gy，精(jīng)度±5%；

l 劑量率範圍：80 nGy/s – 200 mGy/s，精(jīng)度±5%

AGMS-D+  攝影/透視/牙科(ke)探頭

l 能(néng)量範圍：40kV-160kV，精(jīng)度±2%或±0.7kV

l 半值層濾過(guo)：1.3-13.5mmAl，精(jīng)度爲(wei)±0.2 mmAI

l 曝光時間：1ms-300s，精(jīng)度± 0.1%  或者 0.2 ms

l 劑量範圍：80 nGy – >100 Gy，精(jīng)度±5%；

l 劑量率範圍：80 nGy/s – 200 mGy/s，精(jīng)度±5%

AGMS-M+乳腺探頭

l 能(néng)量範圍：20kV-50kV，精(jīng)度±2%或±0.7kV

l 可(kě)選靶材(cai)料 Mo/Mo、Mo/Rh、Rh/Rh、W/Ag、W/Rh、W/Al；

l 劑量範圍：80 nGy – >100 Gy，精(jīng)度±5%；

l 劑量率範圍：80 nGy/s – 200 mGy/s，精(jīng)度±5%

l 半值層濾過(guo)：0.16-1.96 mmAI，精(jīng)度爲(wei)±5%或±0.05 mmAI

l 曝光時間：1ms-300s，精(jīng)度± 0.1%  或者 0.2 ms

10X6-3CT  長(zhang)杆電(dian)離室

l 探測(ce)器(qi)類型：空氣(qi)電(dian)離室；

l 劑量率範圍：20nGy/s-350 mGy/s；

l 劑量範圍：200nGy-1kGy

l 靈(ling)敏度：約±2%；

l 能(néng)量響應：±5％，3 - 20mmAl HVL

10×6-6M  乳腺劑量探頭

l 有(yǒu)效體(ti)積：6cm3

l 劑量率範圍：20 nGy/s - 88 mGy/s

l 劑量範圍：100 nGy - 516 Gy

l 自動(dòng)劑量阈值：19 μGy/s

l 刻度準确度：±4％(30kVp&0.50mmAl HVL X 線(xiàn)機(jī)條件)

10X6-6 通(tong)用(yong)電(dian)離室

l 劑量率範圍：20 nGy/s - 149 mGy/s

l 劑量範圍：100 nGy - 516 Gy

l 自動(dòng)劑量阈值：19 μGy/s

l 能(néng)量依賴性:±5%, 30 keV -1.33 MeV

l 刻度準确度： ±4% （@ 60kVp & 2.8 mmAl HVL X 射線(xiàn)）

10X6-180 洩露咊(he)低水平測(ce)量電(dian)離室

l 劑量率範圍：1 nGy/s - 4.9 mGy/s

l 劑量範圍：2 nGy - 17 Gy

l 自動(dòng)劑量阈值：1 μGy/s

l 有(yǒu)效體(ti)積：180 cm3

l 響應時間：波(bo)形模式(shi)開啓：<5ms；波(bo)形模式(shi)關閉：100ms

10X6-1800 防護水平電(dian)離室

l 劑量率範圍：0.1 μGy/hr - 200 μGy/s

l 劑量範圍：0.01 nGy - 1.7 Gy

l 自動(dòng)劑量阈值：63 pGy/s

l 有(yǒu)效體(ti)積：1800 cm3

l 能(néng)量依賴性： ±5%, 30 keV -1.33 MeV

10X6-0.18 高(gao)劑量率電(dian)離室

l 劑量率範圍：500 nGy/s - 6.31 Gy/s

l 劑量範圍：2 μGy - 17 kGy

l 刻度準确度：±4% @60Co

l 能(néng)量依賴性：±5%, 45 keV- 1.33 MeV

l 有(yǒu)效長(zhang)度：8.1 mm ± 1 mm

l 有(yǒu)效體(ti)積：0.18 cm3

10X6-0.6 高(gao)劑量率電(dian)離室

劑量率範圍：200 nGy/s - 1.17 Gy/s

劑量範圍：1 μGy - 5 kGy

刻度準确度：±4% @60Co

能(néng)量依賴性： ±5%, 40 keV - 1.33 MeV

有(yǒu)效長(zhang)度：19.7 mm ± 1 mm

有(yǒu)效體(ti)積：0.6 cm3

10X6-10 通(tong)用(yong)電(dian)離室

l 劑量率範圍：20 nGy/s - 149 mGy/s

l 劑量範圍：100 nGy - 516 Gy

l 自動(dòng)劑量阈值：19 μGy/s

l 能(néng)量依賴性：±5%, 1.5 mm Al -15 mmAlhvl

l 有(yǒu)效體(ti)積：10.3 cm3

10X6-60 圖像增強器(qi)電(dian)離室

l 劑量率範圍：2 nGy/s - 19 mGy/s

l 劑量範圍：10 nGy - 52 Gy

l 自動(dòng)劑量阈值：2 μGy/s

l 能(néng)量依賴性：±5%, 20 keV -1.33 MeV

l 有(yǒu)效體(ti)積：60 cm3

10X6-0.6CT 現(xian)代(dai)寬束多(duo)層 CT 電(dian)離室

l 劑量率範圍：200 nGy/s - 1.17 Gy/s

l 劑量範圍：1 μGy - 5 kGy

l 能(néng)量依賴性：±5%, 3 - 20mm AL HVL

l 有(yǒu)效體(ti)積：0.6 cm3 ，有(yǒu)效長(zhang)度：19.7 mm ± 1 mm

DDX6-WL 低能(néng)半導(dao)體(ti)探頭

l 劑量率範圍：500 pGy/s- 5.7mGy/s

l 劑量範圍：2 nGy- 15 Gy

l 準确性：±5% （X-ray@ 80kVp with 2.5 mm Al  總濾過(guo)）

l 能(néng)量依賴性：± 5%（ 50 kVp - 120 kVp @2.5 mmAI）

AGLS 亮度/照度探頭

l 亮度範圍：0.05 to 50,000 cd/m² , 0.01 cd/m²

l 照度範圍：0.05 to 50,000 lux ，0.01 lux

l 亮度孔徑：ø10mm 測(ce)量場(chang)

l 餘弦響應：<4％（CIE f2 測(ce)試）

90M10-AG 非(fei)介入式(shi)電(dian)流探頭

l 測(ce)量範圍：2000 mA  或 9999 mAs

l mA 精(jīng)度：讀數(shu)的(de)±4%；

l 電(dian)池：2 xIEC-LR6（1.5VAA 堿性）壽命：大(da)約 35 箇(ge)工(gong)作(zuò)小(xiǎo)時。

l 在(zai)存在(zai)強電(dian)磁場(chang)的(de)情況下，性能(néng)可(kě)能(néng)會降低至 1 安(an)培；

90M9-AG 介入式(shi)電(dian)流探頭

l 測(ce)量範圍：2000 mA  或 9999 mAs

l mA 精(jīng)度：讀數(shu)的(de) 0.2%

l mAs 精(jīng)度：5 uAs or 0.2% of reading

l 電(dian)池：<span style="font-family: 'Times